Зміст
Вступ
Аналіз завдання
Вибір і техніко-економічне обґрунтування збільшеного технологічного процесу
Вибір матеріалів і компонентів
Розрахунок і обґрунтування конструкцій плівкових елементів
Розрахунок і обґрунтування розмірів плати
Розробка топології
Вибір корпусу
Висновок
Список використаної літератури
Вступ Сучасний етап розвитку радіоелектроніки характеризується широким використанням інтегральних мікросхем в усіх радіотехнічних системах і апаратурі.
Це пов’язано з значним ускладненням вимог і задач, які вирішуються РЕА, що призвело до росту числа елементів в ній. В цих умовах важливого значення набувають проблеми підвищення надійності апаратури та її елементів і мініатюризації електрорадіоелементів та самої апаратури. Ці проблеми успішно вирішуються із застосуванням мікроелектроніки. Мікроелектроніка - це розділ електроніки, який охоплює дослідження та розробку якісно нового типу електронних апаратів, інтегральних мікросхем та принципів їх використання.
Мікроелектроніка характеризується тим, що замість виготовлення окремих деталей, з яких будується радіотехнічний пристрій чи апаратура, виготовляють окремі функціональні вузли - мікросхеми. Формування інтегральних мікросхем в мікро об’ємі твердого тіла здійснюється за рахунок використання досліджень фізики твердого тіла та електронного машинобудування на основі якісно нової технології.
Існує два основних метода створення інтегральних мікросхем:
метод локального впливу на мікро ділянки твердого тіла;
метод виникнення схем в твердому тілі завдяки нанесенню тонких плівок різних матеріалів на спільну основу з одночасним формуванням з них мікроелементів та їх з’єднань (плівок ІМС).
Гібридна інтегральна схема - це мікросхема, яка являє собою комбінацію плівкових пасивних елементів та дискретних активних компонентів, розташованих на спільній діелектричній підложці.
Аналіз завдання Основна задача даної курсової роботи полягає в розробці конструкцій інтегральної мікросхеми і технологічного напрямку її виробництва згідно із заданою у технічному завданні принциповою електричною схемою.
Об’єкт проектування - гібридна мікросхема. В порівнянні із напівпровідниковими інтегральними схемами гібридні мікросхеми, із погляду виробництва, мають ряд переваг:
забезпечують широкий діапазон номіналів;
менші межі допусків і кращі електричні характеристики пасивних елементів.
В якості навісних компонентів в ГІС використовуються мініатюрні дискретні конденсатори, резистори, котушки індуктивності, дроселі, трансформатори.
В усному завданні навісними компонентами є транзистори.
Наявність певного числа контактних зварних з’єднань обумовлює меншу надійність ГІС у порівнянні із напівпровідниковою ІС. Проте можливість проведення попередніх іспитів і вибору активних і пасивних навісних компонентів дозволяє створити ГІС і мікрозбірки достатньо високої надійності.
В даній курсовій роботі об’єктом проектування є диференційний підсилювач К118УД1, який містить в собі шість резисторів і чотири транзистора.
Вихідні дані наведені в таблиці 1:
Таблиця 1.
Познач. на схемі Найменування та тип Данні Кіл-ть Прим. R1, R5 Резистор 4к 4 мВт 2 R2 Резистор 1,8к 2,7мВт 1 R3 Резистор 4к 3,2 мВт 1 R4 Резистор 1,7к 2,5 мВт 1 R6 Резистор 5,7к 4,2 мВт 1 VT1 Транзистор КТ307Б 1 Навісний VT2 Транзистор КТ307Б 1 Навісний VT3 Транзистор КТ307Б 1 Навісний VT4 Транзистор КТ307Б 1 Навісний
Технологія виготовлення даної мікросхеми - тонкоплівкова.
Креслення схеми електричної принципової наведено у Додатку 1.
Вибір і техніко-економічне обґрунтування збільшеного технологічного процесу Для формування конфігурацій провідникового, резистивного та діелектричного шарів використовують різні методи: масковий (відповідні матеріали напилюють на підкладку через з’ємні маски); фотолітографічний (плівки наносять на всю поверхню підкладки, після чого витравляють певні ділянки).
Провідне місце в технології виготовлення масок зберігає фотолітографія. ............
