Министерство образования Республики Беларусь
Белорусский государственный университет информатики и
радиоэлектроники
кафедра РЭС
РЕФЕРАТ
на тему:
«Радиоволновые, радиационные методы контроля РЭСИ. Методы электронной микроскопии»
МИНСК, 2008
Радиоволновый метод
Радиоволновые методы основаны на взаимодействии электромагнитного поля в диапазоне длин волн от 1 до 100 мм с объектом контроля, преобразовании параметров поля в параметры электрического сигнала и передаче на регистрирующий прибор или средства обработки информации.
По первичному информативному параметру различают следующие СВЧ-методы: амплитудный, фазовый, амплитудно-фазовый, геометрический, временной, спектральный, поляризационный, голографический. Область применения СВЧ-методов радиоволнового вида неразрушающего контроля приведен в таблице 1 и в ГОСТ 23480-79.
Табл. 1 –
Радиоволновые методы неразрушающего контроля
Название метода Область применения Факторы, ограничивающие область применения Контролируемые параметры Чувствительность Погрешность Ампли- тудный Толщинометрия полуфабрикатов, изделий из радиопрозрачных материалов
Сложная конфигурация. Изменение зазора
между антеной преобразователя и поверхностью конт-роля.
Толщина до 100 мм 1 – 3 мм 5% Дефектоскопия полуфабрикатов, изделий и конструкций из диэлектрика Дефекты: трещины, расслоения, недопрес-совки Трещины более 0,1 – 1 мм Фазовый Толщинометрия листовых материалов и полуфабрикатов, слоистых изделий и конструкций из диэлектрика. Волнистость профиля или поверхности объекта контроля при шаге менее 10L. Отстройка от влияния амплитуды сигнала Толщина до 0,5 мм 5 – 3 мм 1% Контроль «электрической» (фазовой) толщины Толщина до 0,5 мм 0,1 мм Ампли-тудно -фазовый Толщинометрия материалов, полуфабрикатов, изделий и конструкций из диэлектриков, контроль изменения толщины. Неоднозначность отсчета при изменении толщины более 0,5А,Е Изменение диэлектрических свойств материала объек-тов контроля величиной более 2%. Толщина более 50 мм.
Толщина 0 –
50 мм
0,05 мм ±0,1 мм Ампли-тудно -фазовый Дефектоскопия слоистых материалов и изделий из диэлектрика и полупроводника толщиной до 50 мм Изменение зазора между антенной преобразователя и поверхностью объекта контроля. Расслоения, включения, трещины, изменения плотности, неравномер-ное распре-деление составных компонентов Включения порядка 0,05А,Е. Трещины с раскрывом порядка 0,05 мм.Разноплот-ность порядка 0,05 г/см3 Геометрический Толщинометря изделий и конструкций из диэлектриков: контроль абсолютных значений толщины, остаточной толщины Сложная конфигурация объектов контроля; непараллельность поверхностей. Толщина более 500 мм Толщина 0 -500 мм 1,0 мм
3-5
%
Дефектоскопия полуфабрикатов и изделий: контроль раковин, расслоений, инородных включений в изделиях из диэлектрических материалов Сложная конфигурация объектов контроля Определение глубины залегания дефектов в пределах до 500 мм 1,0 мм 1 –3% Времен- Толщинометрия конструкций и сред, являющихся диэлектриками Наличие «мертвой» зоны. На-носекундная техника. ............
