MaterStudiorum.ru - домашняя страничка студента.
Минимум рекламы - максимум информации.


Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биографии
Биология
Биология и химия
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
Ветеринария
Военная кафедра
География
Геодезия
Геология
Геополитика
Государство и право
Гражданское право и процесс
Делопроизводство
Деньги и кредит
Естествознание
Журналистика
Зоология
Издательское дело и полиграфия
Инвестиции
Иностранный язык
Информатика
Информатика, программирование
Исторические личности
История
История техники
Кибернетика
Коммуникации и связь
Компьютерные науки
Косметология
Краткое содержание произведений
Криминалистика
Криминология
Криптология
Кулинария
Культура и искусство
Культурология
Литература и русский язык
Литература(зарубежная)
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоровье
Медицинские науки
Международное публичное право
Международное частное право
Международные отношения
Менеджмент
Металлургия
Москвоведение
Музыка
Муниципальное право
Налоги, налогообложение
Наука и техника
Начертательная геометрия
Новейшая история, политология
Оккультизм и уфология
Остальные рефераты
Педагогика
Полиграфия
Политология
Право
Право, юриспруденция
Предпринимательство
Промышленность, производство
Психология
Психология, педагогика
Радиоэлектроника
Разное
Реклама
Религия и мифология
Риторика
Сексология
Социология
Статистика
Страхование
Строительные науки
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Управленческие науки
Физика
Физкультура и спорт
Философия
Финансовые науки
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Экологическое право
Экология
Экономика
Экономико-математическое моделирование
Экономическая география
Экономическая теория
Эргономика
Этика
Юриспруденция
Языковедение
Языкознание, филология
    Начало -> Промышленность, производство -> Вирощування монокристалів кремнію

Название:Вирощування монокристалів кремнію
Просмотров:117
Раздел:Промышленность, производство
Ссылка:none(0 KB)
Описание: Міністерство освіти та науки України Національний університет «Львівська політехніка» КУРСОВА РОБОТА НА ТЕМУ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ КРЕМНІЮ ВИКОНАВ СТ. ГР. РА – 11 ДЕМКІВ

Часть полного текста документа:

Міністерство освіти та науки України

Національний університет «Львівська політехніка»

КУРСОВА РОБОТА НА ТЕМУ

ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ КРЕМНІЮ

ВИКОНАВ

СТ. ГР. РА – 11

ДЕМКІВ О.Б

ПЕРЕВІРИВ

ВЕСЕЛОВСЬКИЙ З.П

Львів 2010р.


Переваги кремнію

Перeваги кремнію – основного матеріалу напівпровідникової техніки.

Не дивлячись на те, що в напівпровідниковій техніці кремній почали використовувати пізніше, чим германій і деякі інші напівпровідникові з’єднання, в наш час кремнієві вироби по обсягу виробництва лідирують з великим відривом від інших напівпровідників.       

Випуск монокристалів кремнію за його шістдесятилітню історію виріс до декількох тис. тонн в рік і продовжує рости, в той час як видобутки германію видобуваються десятками тонн, галію - одиниці тонн в рік.

Це підвищення видoбутку кремнію почалося у 50-их роках, коли виявилось,що його температурна і хімічна стабільність вища за германію. Але найбільше значення цей матеріал отримав після освоєння технології планарних транзисторів і І.С. . Кремній виявився майже ідеальний і поки єдиний матеріал для виготовлення мікропроцесорів, широке пристосування яких відкрило шлях для прогресу техніки обробки інформації.

Феномен кремнію - одна із значних віх нашого століття. Він гідний вивчення не тільки тому, що з цим матеріалом нерозривно зв’язане сьогоднішнє і майбутнє радіоелектроніки, але і тому, що він дає хороший приклад швидкого і масового використання досягнень науки у виробництві. Досвід показав, що якщо об’єктом вивчення є напівпровідниковий кремній, фундаментальні фізичні і прикладні дослідження практично не розрізняються, а розрив між розробкою і введенням у використання зведений до мінімуму на всіх стадіях виготовлення матеріалу до його промислового використання.

Стрімке вторгнення кремнію у різні області науки і техніки, прогрес інтегральних технологій, випереджаючи прогнози, стали можливими завдяки фундаментальним властивостям цього елемента і його положенню в самому центрі таблиці Менделеєва.

Як було сказано вище, тільки елементи 4 групи утворюють ідеально однорідні ковалентні напрямлені зв’язки з низьким координаційним числом, яке рівне 4. Число ж найближчих з’єднань при найщільнішій упаковці 12, тому очевидно, наскільки “рихлою”, “відкритою” структурою володіє кремній. Атоми в кристалі кремнію розташовані вільно, а об’єм міжвузлових пустот настільки великий ( 75% ), що при плавленні відбувається не збільшення об’єму, а навпаки - його зменшення (на 9%). Таку ж “рихлу” структуру має вуглець у формі алмаза, і германій. Але тільки у кремнію відстань між двома сусідніми атомами є 0,26 нано метрів що спричиняє оптимальну енергію зв’язку. В алмазі ця відстань є набагато менша від порядку 0.11 нанометрів, і він проявляє яскраво виражені діелектричні властивості, тоді, як германій за своїми властивостями ближчий до металів. Рихла, відкрита структура і достатньо сильний ковалентний зв'язок – особливості з’єднань кремнію, які пояснюють його багаті фізико - хімічні властивості, перераховані нижче.

1. оптимальне значення ширини заборонених зон, яка зумовила досить низьку концентрацію власних носіїв заряду і високу робочу температуру.

2. ............







Похожие работы:

Название:Архитектура многокристального микропроцессора К10 и К10.5
Просмотров:544
Описание: Федеральное агентство связи Бурятский филиал ГОУ ВПО «СибГУТИ» Кафедра ИВТ Курсовая работа По дисциплине: Организация и архитектура ЭВМ На тему: Архитектура многокристального МП К10 и К10

Название:Влияние кристаллографической текстуры на анизотропию физико-механических свойств деформированных полуфабрикатов из сплавов на основе титана
Просмотров:306
Описание: Тема работы: «Влияние кристаллографической текстуры на анизотропию физико-механических свойств деформированных полуфабрикатов из сплавов на основе титана» Содержание   Введение Глава 1. Аустенитны

Название:Направленная кристаллизация системы Mo-Zr-C
Просмотров:274
Описание: МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ Харьковский национальный университет имени В. Н. Каразина Физико-технический факультет ВЫПУСКНАЯ РАБОТА БАКАЛАВРА ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ Напр

Название:Рассеяние электронной плотности в металлах и ионных кристаллах по рентгенографическим данным
Просмотров:340
Описание: РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ПЛОТНОСТИ В МЕТАЛЛАХ И ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ ПО РЕНТГЕНОГРАФИЧЕСКИМ ДАННЫМ Содержание Введение Глава 1. Свойства исследуемых объектов и методы измерения электронной плотности

Название:Рідкі кристали
Просмотров:235
Описание: Курсова робота з молекулярної фізики на тему: «Рідкі кристали»   Зміст   ВСТУП РОЗДІЛ 1. РІДКІ КРИСТАЛИ — НОВИЙ СТАН РЕЧОВИНИ 1.1 Навіщо потрібні РК 1.2 Трохи історії 1.3 Основні поняття 1.4 Спо

 
     

Вечно с вами © MaterStudiorum.ru