MaterStudiorum.ru - домашняя страничка студента.
Минимум рекламы - максимум информации.


Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биографии
Биология
Биология и химия
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
Ветеринария
Военная кафедра
География
Геодезия
Геология
Геополитика
Государство и право
Гражданское право и процесс
Делопроизводство
Деньги и кредит
Естествознание
Журналистика
Зоология
Издательское дело и полиграфия
Инвестиции
Иностранный язык
Информатика
Информатика, программирование
Исторические личности
История
История техники
Кибернетика
Коммуникации и связь
Компьютерные науки
Косметология
Краткое содержание произведений
Криминалистика
Криминология
Криптология
Кулинария
Культура и искусство
Культурология
Литература и русский язык
Литература(зарубежная)
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоровье
Медицинские науки
Международное публичное право
Международное частное право
Международные отношения
Менеджмент
Металлургия
Москвоведение
Музыка
Муниципальное право
Налоги, налогообложение
Наука и техника
Начертательная геометрия
Новейшая история, политология
Оккультизм и уфология
Остальные рефераты
Педагогика
Полиграфия
Политология
Право
Право, юриспруденция
Предпринимательство
Промышленность, производство
Психология
Психология, педагогика
Радиоэлектроника
Разное
Реклама
Религия и мифология
Риторика
Сексология
Социология
Статистика
Страхование
Строительные науки
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Управленческие науки
Физика
Физкультура и спорт
Философия
Финансовые науки
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Экологическое право
Экология
Экономика
Экономико-математическое моделирование
Экономическая география
Экономическая теория
Эргономика
Этика
Юриспруденция
Языковедение
Языкознание, филология
    Начало -> Физика -> Складний паралельний контур. Індуктивно-зв'язані електричні кола

Название:Складний паралельний контур. Індуктивно-зв'язані електричні кола
Просмотров:295
Раздел:Физика
Ссылка:none(0 KB)
Описание: СКЛАДНИЙ ПАРАЛЕЛЬНИЙ КОНТУР. ІНДУКТИВНО-ЗВ'ЯЗАНІ ЕЛЕКТРИЧНІ КОЛА Вступ   Схема паралельного резонансного контуру може бути подана в узагальненому вигляді (рис.1, а). Для резонансної частоти  повинна ви

Часть полного текста документа:


СКЛАДНИЙ ПАРАЛЕЛЬНИЙ КОНТУР.

ІНДУКТИВНО-ЗВ'ЯЗАНІ ЕЛЕКТРИЧНІ КОЛА


Вступ

 

Схема паралельного резонансного контуру може бути подана в узагальненому вигляді (рис.1, а). Для резонансної частоти  повинна виконуватися умова:

.                                                                                                   (1)

У схемі (рис.1, б), яку було розглянуто раніше, до однієї гілки () входить індуктивність, а до іншої () – ємність. Така схема зветься контуром першого виду (або контуром з повним увімкненням, або простим паралельним контуром). Загалом опори  та  можуть являти собою ті чи інші сполучення індуктивностей та ємностей. Але вони повинні складати схему таким чином, щоб виконувалася умова резонансу (1).

Рисунок 1

На рис.1, в наведено варіант схеми, в якій одна гілка містить тільки індуктивність , а інша – індуктивність  та ємність C. Таку схему називають контуром другого виду або контуром з розподіленою індуктивністю. В контурі третього виду (з розподіленою ємністю) (рис.1, г) до однієї гілки увімкнено тільки ємність , а до іншої – ємність  та індуктивність L. Контури другого та третього видів звуться також складними або контурами з частковим увімкненням.

Знайдемо вхідний (еквівалентний) опір складного контуру:

.

Для контурів з високою добротністю . Тоді:

.

Обчислимо еквівалентний резонансний опір. Оскільки при  виконується умова (1), матимемо:

,

де  – активний опір паралельного контуру при послідовному обході;  – реактивний опір гілки, яка містить реактивність одного характеру.

Позначимо величину  – коефіцієнт увімкнення і запишемо вираз для еквівалентного резонансного опору складного контуру:

.                                                              (2)

Знайдемо формули для розрахунку резонансної частоти та коефіцієнта увімкнення для контурів другого і третього видів.

1.  Контур ІІ виду. Резонансна частота визначається з формули (1):

,


звідки маємо:

,                                                                               (3)

де  – повна індуктивність контуру.

Знаючи резонансну частоту, знаходимо коефіцієнт увімкнення:

.

2.  Контур ІІІ виду. Формула (1) є справедливою і в цьому разі:

.

Отже, резонансна частота становитиме:

,                                                                      (4)

де  – повна ємність контуру.

Коефіцієнт увімкнення дорівнюватиме:

.

Оскільки коефіцієнт увімкнення менший одиниці, робимо висновок, що часткове увімкнення дозволяє у  разів зменшити резонансний опір паралельного контуру порівняно з повним увімкненням.


1. Частотні характеристики повного опору складних паралельних контурів

Характерною рисою складних паралельних контурів є те, що поряд з резонансом струмів у контурі можливі резонанси напруг у гілках. Тому на відміну від простого контуру, частотна залежність повного опору складного контуру має два екстремуми (рис.2, а відповідає контуру другого, а рис. 2, б – контуру третього виду).

Рисунок 2

Для контуру ІІ виду частота паралельного резонансу визначається за формулою (3):

,

а частота послідовного резонансу – за формулою:

.


З цих співвідношень видно, що оскільки , то .

Для контуру ІІІ виду за формулою (4) знаходимо:

;

.

Оскільки , то .

Висновок: частотні характеристики складного контуру дозволяють використовувати його для пропускання сигналів одних частот та послаблення сигналів інших частот.


2. ............







Похожие работы:

Название:Перетворювач індуктивність-напруга
Просмотров:138
Описание: Міністерство освіти  і науки України Вінницькій національний технічний університет Інститут автоматики електроніки та комп’ютерних систем управління Факультет автоматики і комп’ютерних систем управлі

 
     

Вечно с вами © MaterStudiorum.ru