Министерство высшего образования РФ. Уральский государственный университет - УПИ Кафедра "Технология и средства связи" Расчетно-графическая работа Полупроводниковый диод "КД213А" Преподаватель: Болтаев А.В.
    Студент: Черепанов К.А.
    Группа: Р-207 Екатеринбург 2000 Аннотация
    В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода. Содержание 1. Краткая характеристика диода 4 2. Паспортные параметры: 4 2.1. Электрические 4 2.2. Предельные эксплуатационные 4 3. Вольт-амперная характеристика 5 3.1. При комнатной температуре 5 3.2. При повышенной 6 4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6 5. Определение величины TKUпрям TKIобр 6 6. Определение сопротивления базы rб 9 6.1. Приближенное 9 6.2. Точное 9 7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема 10 8. Библиографический список 10 9. Затраты времени на: 10 9.1. Информационный поиск 10 9.2. Расчеты 10 9.3. Оформление 10 Краткая характеристика диода
    Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
    Масса диода не более 4 г. КД213А1 Рисунок 1 Паспортные параметры: Электрические
    Постоянное прямое напряжение при Iпр=10А, не более: Т=+25°С......................................................................................................1В
    Постоянный обратный ток при, не более: Т=+25°С................................................................................................0,2мА Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А: КД213А................................................................................................300нс Емкость диода, не более: при Uобр=100 В........................................................................550 пФ при Uобр=5 В..........................................................................1600 пФ
     Предельные эксплуатационные Постоянное (импульсное) обратное напряжение...................................200В Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)? 1,5°С/Вт ......................10А Импульсный прямой ток при tи? 10мс, Q?1000.................................100А Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи? 20мкс,.....................................................................................................10А Частота без снижения электрических режимов.................................100кГц Тепловое сопротивление переход-среда: .........................................................................70К/Вт переход-корпус: ......................................................................1,5К/Вт Температура перехода: ...............................................................+140°С Температура окружающей среды: ..............................................-60°С...+85°С Общая таблица параметров Предельные значения параметров при Т=25?С Tk max (Tпмах) [Тмах]?С Значения параметров при Т= 25?С R т п-к, ?С/Вт I пр, ср max А Uобр, и, п мах, В Uобр мах, В Iпрг (Iпр, уд)мах, А fмах, кГц Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В tвос, обр (tвос, обр при Tп мах), мкс I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА Т?С tи(tпр), мс Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А Iпр, и, А Uпр, и, В 10 85 200 200 100 10 100 140 1 10 0,3 1 20 0,2 1,5 Вольт-амперная характеристика При комнатной температуре При повышенной Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С Зависимость R= от Uпр Uпр 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1 R= 0,3 0,2333333 0,16 0,1125 0,090909 0,073333 Зависимость r~ от Uпр Uпр 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 r~ 0,1 0,0666667 0,05 0,044444 0,038462 Зависимость R= от Uобр Uобр 50 100 150 200 250 300 R= 3571429 6666666,7 8333333 4878049 2777778 1304348 Зависимость r~ от Uобр Uобр 50 100 150 200 250 r~ 50000000 25000000 5555556 2631579 1157407 Зависимость Cдиф от Uпр Uпр 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1 Сдиф 0,08 0,12 0,2 0,32 0,44 0,6 Зависимост Сб от Uобр Определение величины TKUпрям TKIобр Определение сопротивления базы rб Приближенное Точное Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема Библиографический список 1. ............