Моделирование распределения потенциала в МДП-структуре
Просмотров:
83
Раздел:
Радиоэлектроника
Ссылка:
none(0 KB)
Описание:
На боковых сторонах полупроводниковой структуры требуется выполнение однородного условия Неймана вытекающее из симметричности структуры относительно линий лежащих на отрезках AB и GH: