MaterStudiorum.ru - домашняя страничка студента.
Минимум рекламы - максимум информации.


Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биографии
Биология
Биология и химия
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
Ветеринария
Военная кафедра
География
Геодезия
Геология
Геополитика
Государство и право
Гражданское право и процесс
Делопроизводство
Деньги и кредит
Естествознание
Журналистика
Зоология
Издательское дело и полиграфия
Инвестиции
Иностранный язык
Информатика
Информатика, программирование
Исторические личности
История
История техники
Кибернетика
Коммуникации и связь
Компьютерные науки
Косметология
Краткое содержание произведений
Криминалистика
Криминология
Криптология
Кулинария
Культура и искусство
Культурология
Литература и русский язык
Литература(зарубежная)
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоровье
Медицинские науки
Международное публичное право
Международное частное право
Международные отношения
Менеджмент
Металлургия
Москвоведение
Музыка
Муниципальное право
Налоги, налогообложение
Наука и техника
Начертательная геометрия
Новейшая история, политология
Оккультизм и уфология
Остальные рефераты
Педагогика
Полиграфия
Политология
Право
Право, юриспруденция
Предпринимательство
Промышленность, производство
Психология
Психология, педагогика
Радиоэлектроника
Разное
Реклама
Религия и мифология
Риторика
Сексология
Социология
Статистика
Страхование
Строительные науки
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Управленческие науки
Физика
Физкультура и спорт
Философия
Финансовые науки
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Экологическое право
Экология
Экономика
Экономико-математическое моделирование
Экономическая география
Экономическая теория
Эргономика
Этика
Юриспруденция
Языковедение
Языкознание, филология
    Начало -> Коммуникации и связь -> Изучение характеристик логических элементов комплементарной логики на транзисторах металл-оксид-полупроводниках

Название:Изучение характеристик логических элементов комплементарной логики на транзисторах металл-оксид-полупроводниках
Просмотров:212
Раздел:Коммуникации и связь
Ссылка:none(0 KB)
Описание: Контрольная работа по ЦУиМП: «Изучение характеристик логических элементов КМОП»   Ключ на основе КМОП Рассмотрим схему   1) Получим ПХ и определим по ним значени

Университетская электронная библиотека.
www.infoliolib.info

Часть полного текста документа:

Контрольная работа по ЦУиМП:

«Изучение характеристик логических элементов КМОП»

 


Ключ на основе КМОП

Рассмотрим схему

 

1) Получим ПХ и определим по ним значения входного напряжения, при которых открываются транзисторы Т1, Т2 и защитные диоды.

Определим напряжения открывания (переключения) транзисторов: , то (по графику 2.497 В)

Определим напряжение открывания защитных диодов: т. к. , то входное напряжение открытия диодов D1,2,3,4 (напряжение открытия диодов равно 0.6 В) равно

2) Получить статические характеристики схемы при вариации напряжения питания

При уменьшении напряжения питания происходит уменьшение напряжения открытия транзисторов в соответствии с формулой Еп/2.

3) Получить переходные характеристики


Определим длительность переходных процессов при включении и выключении ключа и среднее время задержки:

- при переходе выходного сигнала с высокого уровня на низкий

- при переходе выходного сигнала с низкого уровня на высокий

 – среднее время задержки ЛЭ.

Тогда

4) Получить переходные характеристики при вариации напряжения питания

Время задержки при переходе выходного сигнала с высокого уровня на низкий () с уменьшением напряжения питания уменьшается, а время при переходе выходного сигнала с низкого уровня на высокий () при уменьшении напряжения питания растет.


ЛЭ КМОП (ИЛИ-НЕ)

Рассмотрим схему

1) Получить статическую характеристику выходного напряжения от значения статического напряжения на одном из входов ключа

При подаче на х1 напряжения меньшего 2.5 В (логический ноль), в то время как на два других входа подано напряжение 0 В, что соответствует уровню логического нуля, транзисторы Т1, Т3 и Т5 закрыты, а Т6, Т4 и Т2 открыты, на выходе фиксируется сигнал высокого уровня соответствующий логической единице. При подаче же на х1 напряжения высокого уровня соответствующего логической единице транзисторы Т3, Т2 и Т6 открыты, а Т1, Т5 и Т4 закрыты. На выходе схемы напряжение низкого уровня, что соответствует логическому нулю.

2) Получить таблицу истинности ЛЭ

Заменим постоянные источники напряжения Х2,1,0 на импульсные источники, тем самым задав входные уровни (0В – лог. нуль, 5В – лог. единица). Тогда получим след. График анализа. По нему составим таблицу истинности:

X0 X1 X2 Y 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0

Таким образом, таблица истинности соответствует стандартному ЛЭ ИЛИ-НЕ, т.е. если на одном из входов есть хотя бы одна логическая единица, то на выходе Y находится логический нуль, значит можно утверждать, что единица это активное значение логической переменной, при этом один из транзисторов Т2, Т4, Т6 заперт, а один из транзисторов Т1, Т3, Т5 открыт. Если на всех входах лог. нули, то транзисторы Т1, Т3, Т5 заперты, а Т2, Т4, Т6 – открыты.


ЛЭ КМОП (И-НЕ)

Рассмотрим схему

1)  Получить статическую характеристику выходного напряжения от значения статического напряжения на одном из входов ключа

Когда напряжение на входе х0 соответствует уровню логического нуля, а напряжения на двух других входах при этом соответствуют уровню логической единицы, можно отметить. ............







Похожие работы:

Название:Моделирование работы МДП-транзистора в системе MathCad
Просмотров:376
Описание: ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Физико-технический факуль

Название:Программно управляемый генератор линейно-нарастающего напряжения сверхнизкой частоты на микроконтроллере
Просмотров:498
Описание: Министерство образования и науки, молодежи и спорта Украины Харьковский Национальный Университет Радиоэлектроники Курсовая работа Программно управляемый генератор линейно-нарастаю

Название:Стенокардия напряжения
Просмотров:312
Описание: Федеральное агентство по образованию. Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования. «Мордовский государственный университет им Н.П.Огарева». Медицинский институт.

Название:Проектирование перестраиваемого генератора синусоидального напряжения с устройством индикации частоты и источником питания
Просмотров:305
Описание: Уфимский государственный авиационный технический университет Кафедра Информационно-измерительной техники ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА к расчетно-графической работе по курсу Электроника

Название:Стенокардия напряжения
Просмотров:305
Описание: Паспортные данные: Ф.И.О: Возраст: 60 лет Пол: мужской Место работы: КАТУ Место жительства: г. Дата поступления: 06.03.09 Дата выписки: 24.09.08 Направившее учреждение: поликлиника 7-Гор.больницы Диагноз напра

 
     

Вечно с вами © MaterStudiorum.ru