Введение
В данной курсовой работе я буду рассматривать "Интегрированные" чипсеты Intel H55 и H57. В самом начале января 2010-го компания Intel практически завершила славную эпоху процессоров, основанных на микроархитектуре Core. Теперь, по иронии судьбы, на Core будут (еще какое-то время) выпускаться только ультрабюджетные модели под торговой маркой Celeron для Socket 775. Как вы уже знаете из представления процессоров на ядре Clarkdale, обновленная платформа подразумевает включение новых чипсетов — H55 и H57 — в число возможных вариантов применения. Однако нельзя сказать, что использование новых чипсетов — условие непременное или позволяющее раскрыть потенциал новых процессоров полностью: где-то потенциал раскроется полнее, а где-то и прикроется вовсе. Что ж, давайте познакомимся с первыми "интегрированными" чипсетами под Nehalem (точнее, Clarkdale).
1. История создания фирмы INTEL
Началось все с того, что в 1955 году изобретатель транзистора Уильям Шокли открыл собственную фирму ShockleySemiconductorLabs в Пало-Альто (что, кроме всего прочего, послужило началом создания Кремниевой долины), куда набрал довольно много молодых исследователей. В 1959 году по ряду причин от него ушла группа в восемь инженеров, которых не устраивала работа "на дядю" и они хотели попробовать реализовать собственные идеи. "Восьмерка предателей", как их называл Шокли, среди которых были в том числе Мур с Нойсом, основала фирму FairchildSemiconductor. Боб Нойс занял в новой компании должность директора по исследованиям и разработкам. Позднее он утверждал, что придумал микросхему из лени – довольно бессмысленно выглядело, когда в процессе изготовления микромодулей пластины кремния сначала разрезались на отдельные транзисторы, а затем опять соединялись друг с другом в общую схему. Процесс был крайне трудоемким – все соединения паялись вручную под микроскопом! – и дорогим. К тому моменту сотрудником Fairchild, тоже одним из сооснователей – Джином Герни (JeanHoerni) уже была разработана т.н. планарная технология производства транзисторов, в которой все рабочие области находятся в одной плоскости. Нойс предложил изолировать отдельные транзисторы в кристалле друг от друга обратносмещенными p-n переходами, а поверхность покрывать изолирующим окислом, и выполнять межсоединения с помощью напыления полосок из алюминия. Контакт с отдельными элементами осуществлялся через окна в этом окисле, которые вытравливались по специальному шаблону плавиковой кислотой. Причем, как он выяснил, алюминий отлично приставал как к кремнию, так и к его окислу (именно проблема адсорбции материала проводника к кремнию до последнего времени не позволяла использовать медь вместо алюминия, несмотря на ее более высокую электропроводность). Такая планарная технология в несколько модернизированном виде сохранилась до наших дней. Для тестирования первых микросхем использовался единственный прибор – осциллограф.
Между тем выяснилось, что Нойса в благородном деле создания первой микросхемы опередили. Еще летом 1958-го сотрудник TexasInstruments Джек Килби продемонстрировал возможности изготовления всех дискретных элементов, включая резисторы и даже конденсаторы, на кремнии.
Планарной технологии в его распоряжении не было, поэтому он использовал так называемые меза-транзисторы. ............
