МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

ДЕРЖАВНИЙ ВИЩИЙ НАВЧАЛЬНИЙ ЗАКЛАД

Фізико–технологічні основи металізації інтегральних схем

Курсова робота

З курсу "Технологічні основи електроніки"

ЗМІСТ

ВСТУП

РОЗДІЛ 1. ЕЛЕМЕНТИ І КОМПОНЕНТИ ІНТЕГРАЛЬНИХ МІКРОСХЕМ

1.1 Підкладки інтегральних схем

1.2 Елементи ІС

РОЗДІЛ 2. ТЕХНОЛОГІЯ ВИРОБНИЦТВА ІНТЕГРАЛЬНИХ МІКРОСХЕМ

2.1 Масковий метод

2.2 Метод фотолітографії

2.3 Комбінований метод

РОЗДІЛ 3. МЕТОДИ МЕТАЛІЗАЦІЇ ІНТЕГРАЛЬНИХ СХЕМ

3.1 Термічне (вакуумне) напилення

3.2 Катодне напилення

3.3 Іонно-плазмове напилення

3.4 Анодування

3.5 Електрохімічне осадження

ВИСНОВКИ

ЛІТЕРАТУРА

ВСТУП

Реалізація принципів, ідей, методів напівпровідникової мікроелектроніки привела до створення інтегральних схем, що є цілими пристроями і навіть системами, розміщеними в одному напівпровідниковому кристалі. Проте не всі пристрої можна виготовити за допомогою напівпровідникової технології.

Паралельно з напівпровідниковим розвинувся і удосконалювався інший конструктивно-технологічний варіант створення мікроелектронних пристроїв, заснований на технології тонких (до 1 мкм) і порівняно товстих (10 – 50 мкм) плівок. Чисто пасивні плівкові ІМС не набули широкого поширення через обмеження можливостей по виконанню ними функцій обробки сигналів, а реалізація плівкових активних елементів виявилася неможливою через низьку відтворюваність їх характеристик. Поєднання напівпровідникових мікросхем, активних напівпровідникових приладів з пасивними плівковими елементами і плівковою комутацією дозволила створити мікроелектронні пристрої з широким набором функціональних можливостей.

РОЗДІЛ 1. ЕЛЕМЕНТИ І КОМПОНЕНТИ ІНТЕГРАЛЬНИХ МІКРОСХЕМ

  1.1 Підкладки інтегральних схем

Підкладки ІС є діелектричною і механічною підставою для плівкових і навісних елементів і служать тепловідводом. Матеріал підкладки повинен володіти наступними властивостями і характеристиками:

1) високим опором ізоляції і електричною міцністю;

2) великим коефіцієнтом теплопровідності для ефективної передачі теплоти від тепловиділяючих елементів (резисторів, діодів, транзисторів) до корпусу мікросхеми;

3) достатньою механічною міцністю;

4) стійкістю до дії хімічних реактивів в процесі підготовки поверхні підкладки перед нанесенням плівок;

5) стійкістю до дії нагріву в процесі нанесення тонких плівок і термообробки товстих плівок;

6) здібністю до механічної обробки (різанню і так далі).

Структура матеріалу підкладки і стан її поверхні впливають на параметри плівкових елементів. Велика шорсткість поверхні підкладки знижує надійність тонкоплівкових резисторів і конденсаторів, оскільки мікронерівності зменшують товщину плівок резисторів. При товщині плівок близько 100 нм допускається висота мікронерівностей приблизно 25 нм. Товсті плівки мають товщину 10 – 50 мкм, тому підкладки для товстоплівкових ІМС можуть мати мікронерівності 1 – 2 мкм. [1]

1.2 Елементи ІС

Інтегральні мікросхеми складаються з ізолюючої підстави (підкладки), на поверхні якого розміщені плівкові елементи (резистори, конденсатори, спіралі індуктивності, провідники і контактні площадки), а також навісні безкорпусні мініатюрні активні (транзистори, діоди, напівпровідникові) і пасивні (конденсатори, котушки індуктивності і так далі) компоненти. ............