Министерство Российской Федерации по связи и информатизации Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики В.Л. Савиных ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Учебное пособие для специальностей 071 700, 200 700, 200 800, 200 900, 201 000, 201 100, 201 200, 201 400 Новосибирск 2003
    УДК 621.385
    
    Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов. ктн, доц. В.Л. Савиных, Для студентов дневной и заочной форм обучения специальностей 071700, 200700, 200800, 200900, 201000, 201100, 201200, 201400.
    Кафедра технической электроники.
    Ил. 8, табл. 11, список лит. 4 назв.
    Рецензент ктн, доц. Матвеев В.А. Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве
    учебного пособия [нет1] @ Сибирский государственный университет телекоммуникаций
    и информатики, 2003 г. [нет2] Содержание
    
    Введение...............................................................
    1 Основы теории электропроводности полупроводников....... 1.1 Общие сведения о полупроводниках.................................... 1.1.1 Полупроводники с собственной проводимостью.............. 1.1.2 Полупроводники с электронной проводимостью............. 1.1.3 Полупроводники с дырочной проводимостью.................. 1.2 Токи в полупроводниках .................................................... 1.2.1 Дрейфовый ток................................................................... 1.2.2 Диффузионный ток........................................................... 1.3 Контактные явления........................................................... 1.3.1 Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия 1.3.2 Прямое включение p-n перехода...................................... 1.3.3 Обратное включение p-n перехода................................. 1.3.4 Теоретическая характеристика p-n перехода........................... 1.3.5 Реальная характеристика p-n перехода............................ 1.3.6 Ёмкости p-n перехода...................................................... 1.4 Разновидности p-n переходов.......................................... 1.4.1 Гетеропереходы........................................................... 1.4.2 Контакт между полупроводниками одного типа проводимости 1.4.3 Контакт металла с полупроводником.......................................... 1.4.4 Омические контакты................................................................... 1.4.5 Явления на поверхности полупроводника.............................. 2 Полупроводниковые диоды..................................................... 2.1 Классификация....................................................................... 2.2 Выпрямительные диоды....................................................... 2.3 Стабилитроны и стабисторы................................................. 2.4 Универсальные и импульсные диоды................................... 2.5 Варикапы.............................................................................. 3 Биполярные транзисторы........................................................... 3.1 Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы..... 3.1.1 Общие сведения.............................................................................. 3.1.2 Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе 3.2 Статические характеристики биполярных транзисторов......... 3.2.1 Схема с общей базой............................................................... 3.2.2 Схема с общим эмиттером........................................................ 3.2.3 Влияние температуры на статические характеристики БТ..... 3.3 Дифференциальные параметры биполярного транзистора.................. 3.4 Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора...... 3.5 Частотные свойства биполярного транзистора................................... 3.6 Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов. 3.7 Работа транзистора в усилительном режиме...................................... 3.8 Особенности работы транзистора в импульсном режиме.................. 3.8.1 Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды.............................................................................................. 3.8.2 Работа транзистора в режиме переключения................................. 3.8.3 Переходные процессы при переключении транзистора.............. 4 Полевые транзисторы.............................................................. 4.1 Полевой транзистор с p-n переходом........................................ 4.2 Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП-ранзистор)...
    Литература..............................................................................................
    
     ВВЕДЕНИЕ
    Главы учебного пособия посвящены физическим основам полупровод-ников, контактным явлениям между полупроводниками различной прово-димости и между полупроводником и металлом. ............