MaterStudiorum.ru - домашняя страничка студента.
Минимум рекламы - максимум информации.


Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биографии
Биология
Биология и химия
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
Ветеринария
Военная кафедра
География
Геодезия
Геология
Геополитика
Государство и право
Гражданское право и процесс
Делопроизводство
Деньги и кредит
Естествознание
Журналистика
Зоология
Издательское дело и полиграфия
Инвестиции
Иностранный язык
Информатика
Информатика, программирование
Исторические личности
История
История техники
Кибернетика
Коммуникации и связь
Компьютерные науки
Косметология
Краткое содержание произведений
Криминалистика
Криминология
Криптология
Кулинария
Культура и искусство
Культурология
Литература и русский язык
Литература(зарубежная)
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоровье
Медицинские науки
Международное публичное право
Международное частное право
Международные отношения
Менеджмент
Металлургия
Москвоведение
Музыка
Муниципальное право
Налоги, налогообложение
Наука и техника
Начертательная геометрия
Новейшая история, политология
Оккультизм и уфология
Остальные рефераты
Педагогика
Полиграфия
Политология
Право
Право, юриспруденция
Предпринимательство
Промышленность, производство
Психология
Психология, педагогика
Радиоэлектроника
Разное
Реклама
Религия и мифология
Риторика
Сексология
Социология
Статистика
Страхование
Строительные науки
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Управленческие науки
Физика
Физкультура и спорт
Философия
Финансовые науки
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Экологическое право
Экология
Экономика
Экономико-математическое моделирование
Экономическая география
Экономическая теория
Эргономика
Этика
Юриспруденция
Языковедение
Языкознание, филология
    Начало -> Физика -> Электронно-дырочный переход

Название:Электронно-дырочный переход
Просмотров:68
Раздел:Физика
Ссылка:none(0 KB)
Описание: Были построены первые приборы на их основе. О. В. Лосев (1923) доказал возможность использования контактов полупроводник-металл для усиления и генерации колебаний (кристаллический детектор). Однако в последующ

Университетская электронная библиотека.
www.infoliolib.info

Часть полного текста документа:

Уральский государственный технический университет - УПИ Кафедра физики РЕФЕРАТ по физике на тему: P-n-переход. Полупроводниковые диоды и применение их в технике. Преподаватель: Папушина Т.И. СТУДЕНТ: Вакулина Е.С. Группа: С-181 Екатеринбург 2001 Содержание. Введение. 3 Электронно-дырочный переход 4 Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-дырочном переходе. 4 Энергетическая диаграмма электронно-дырочного перехода. 5 Полупроводниковый диод. 7 Устройство диода. 7 Статические вольтамперные характеристики диода. 7 Пробой диода 9 Электрический пробой. 9 Тепловой пробой. 10 Емкости диода. 11 Барьерная емкость. 11 Диффузионная емкость. 13 Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов и их применение в технике. 14 Выпрямительные диоды 14 Высокочастотные диоды 14 Импульсные диоды. 15 Полупроводниковые стабилитроны. 15 Варикапы. 16 Заключение. 17 Библиографический список: 18 Введение.
    Полупроводники как особый класс веществ, были известны еще с конца XIX века, только развитие теории твердого тела позволила понять их особенность задолго до этого были обнаружены:
    * эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник;
    * фотопроводимость.
    Были построены первые приборы на их основе. О. В. Лосев (1923) доказал возможность использования контактов полупроводник-металл для усиления и генерации колебаний (кристаллический детектор). Однако в последующие годы кристаллические детекторы были вытеснены электронными лампами и лишь в начале 50 - х годов с открытием транзисторов (США 1949 год) началось широкое применение полупроводников (главным образом германия и кремния в радиоэлектронике).Одновременно началось интенсивное изучение свойств полупроводников, чему способствовало совершенствование методов очистки кристаллов и их легированию (введение в полупроводник определенных примесей).
    В СССР изучение полупроводников начались в конце 20 - х годов под руководством А.Ф. Иоффе в Физико-техническом институте АН СССР.
    Интерес к оптическим свойствам полупроводников возрос в связи с открытием вынужденного излучения в полупроводниках, что привело к созданию полупроводниковых лазеров вначале на p - n - переходе, а затем на гетеропереходах.
    В последнее время большее распространение получили приборы, основанные на действии полупроводников. Эти вещества стали изучать сравнительно недавно, однако без них уже не может обойтись ни современная электроника, ни медицина, ни многие другие науки.
    Рассмотрим подробнее принцип действия, типы и применение в технике полупроводниковых диодов.
    
     Электронно-дырочный переход
    Рассмотрим неоднородный полупроводник, одна часть которого имеет электронную электропроводность, а другая - дырочную. При этом речь идет не о простом контакте двух различных полупроводников, а о едином монокристалле, у которого одна область легирована акцепторной примесью, а другая - донорной.
    Между электронной и дырочной областями рассматриваемой полупроводниковой структуры всегда существует тонкий переходный слой, обладающий особыми свойствами. Этот слой называется электронно-дырочным или p-n-переходом.
    Электронно-дырочный переход является основным структурным элементом большинства полупроводниковых приборов, его свойствами определяется принцип действия и функциональные возможности этих приборов.
    Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-дырочном переходе.
    Примем, что в рассматриваемой p-n-структуре концентрация дырок в дырочной области выше, чем в электронной(pp>pn), а концентрация электронов в электронной области выше, чем в дырочной(nn>np), на границе электронной и дырочной областей существует градиент концентрации носителей заряда, вызывающий диффузионный ток: дырок из p-области в n-область и электронов из n-области в p-область. ............






Похожие работы:

Название:Эпитаксиальный рост простых полупроводников Si и Ge на поверхности Si(111)
Просмотров:598
Описание: Введение С физикой тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники. Успехи микроминиатюризации электронной ап

Название:Электромеханические переходные процессы
Просмотров:473
Описание: ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Амурский государственный университет» (ГОУВПО «АмГУ») Кафедра энергетики

Название:Электромагнитные переходные процессы в электроэнергетических системах
Просмотров:459
Описание: КУРСОВАЯ РАБОТА Электромагнитные переходные процессы в электроэнергетических системах   Красноярск 2011 Задание 1 Для заданной простейшей схемы

Название:Исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов
Просмотров:327
Описание: Федеральное агентство по образованию РФ Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет «ЛЭТИ» Кафедра микроэлектроники Отчет по лабораторной работе №3 Исследован

Название:Регулирование денежного обращения в Республике Беларусь в переходный период
Просмотров:209
Описание: Содержание   Введение 1. Сущность денежного обращения, его объективная необходимость 1.1 Сущность денежного обращения 1.2 Виды денежного обращения 2. Особенности регулирования денежного обращения в Рес

 
     

Вечно с вами © MaterStudiorum.ru