Содержание 1. ВВЕДЕНИЕ ..............................................................................2 2. n-МОП СБИС ТЕХНОЛОГИЯ................................................... .4
    2.1Основы технологии производства n-МОПСБИС........................4
    2.2Этапы технологического процесса......................................... 5 3. СБИС ПРОГРАММИРУЕМОЙ ЛОГИКИ (ПЛ.)........................... .7 4. МИКРОПРОЦЕССОРЫ............................................................12 5. МАТРИЧНЫЕ МИКРОПРОЦЕССОРЫ ..................................... .17
    5.1 Матричные микропроцессоры...............................................17
    5.2 Транзисторные матрицы......................................................17
    5.3 Матричные процессоры.......................................................20
    5.4 Автоматизация проектирования
    цифровых СБИС на базе матриц Вайнбергера и транзисторных
    матриц.................................................................................21 6. АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ СБИС .............26
    6.1 Основные типы БМК..........................................................28
    6.2 Реализация логических элементов на БМК...............................30 6.3 Системы автоматизированного проектирования матричных бис, постановка задачи проектирования.............................................31 6.4 Основные этапы проектирования...........................................33 7. ЗАКЛЮЧЕНИЕ..................................................................... ...35 8. СПИСОК ИСПЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ.................................37 1. ВВЕДЕНИЕ
    С момента появления первых полупроводниковых микросхем (начало 60-х годов) микроэлектроника прошла путь от простейших логических элементов до сложных цифровых устройств, изготавливаемых на одном полупроводниковом монокристалле площадью около 1 см2. Для обозначения микросхем со степенью интеграции выше 104 элементов на кристалле в конце 70-х годов появился термин "сверхбольшие интегральные схемы" (СБИС). Уже через несколько лет развитие этих микросхем стало генеральным направлением в микроэлектронике.
    В начале своего развития электронная промышленность представляла собой отрасль техники, целиком основанную на операциях сборки, и позволяла реализовать весьма сложные функции путем объединения множества элементов в одном изделии. При этом значительная часть прироста стоимости изделий была связана с процессом сборки. Основными этапами этого процесса являлись этапы проектирования, выполнения и проверки соединений между электронными компонентами. Функции и размеры устройств, которые могли быть реализованы на практике, ограничивались количеством используемые компонентов, их физическими размерами и надежностью.
    Исторически сложилось так, что первоначально внимание к ИС привлекли такие их особенности, как малые размеры и масса, а затем развитие техники ИС, позволяющей скомпоновать на поверхности кристалла значительное количество элементов, включая меж соединения, постепенно привело к возможности создания СБИС. Т.о. стало возможным не только "повышение экономичности" электронных схем, но и улучшение их характеристик с одновременным повышением надежности. Развитие техники и технологии СБИС обусловило весьма существенные вменения в специфике электронной промышленности, заключающееся в совершенствовании процесса изготовления ИС и методов их проектирования. Типичным фактором первой группы является совершенствование микро технологии. Уменьшение размеров полупроводниковых приборов позволяет одновременно добиться как улучшения характеристик ИС, формально определяемых законом пропорциональности размеров, так и улучшения их экономических (материальных и энергетических) показателей, связанных с уменьшением площади кристалла.
    Исторически первым полупроводниковым материалом, использованным на ранних стадиях разработки полупроводниковых приборов, был германий. ............