СОДЕРЖАНИЕ

Введение. 4

1. Расчет параметров элементов колебательного контура и рабочей частоты регулирования. 6

1.1. Емкость коммутирующего конденсатора. 6

1.2. Число параллельных цепей конденсаторов выбранного типа. 8

1.3. Минимальная емкость коммутирующего конденсатора. 8

1.4. Максимальная емкость коммутирующего конденсатора. 9

1.5. Индуктивность коммутирующего дросселя. 9

1.6. Максимальная длительность коммутационного интервала. 11

1.7. Максимальная длительность процесса перезаряда коммутирующего конденсатора  12

1.8. Рабочая частота регулирования. 12

2. Расчет группового соединения полупроводниковых приборов. 14

2.1. Число последовательно соединенных тиристоров в группе, выполняющей функции VS1. 14

2.2. Число последовательно соединенных тиристоров в группе, выполняющей функции VS2. 15

2.3. Число последовательно соединенных диодов в группе, выполняющей функции VD1  16

2.4. Число последовательно соединенных диодов в группе, выполняющей функции VD2  17

2.5. Наибольшее среднее значение тока VS1. 17

2.6. Наибольшее среднее значение тока VS2. 18

2.7. Наибольшее среднее значение тока VD1. 18

2.8. Наибольшее среднее значение тока VD2. 19

2.9. Число параллельных ветвей в группе тиристоров, выполняющих функции VS1  19

2.10. Минимальный предельный ток тиристоров, выполняющих функции VS2  20

2.11. Число параллельных ветвей в группе диодов, выполняющих функции VD2  21

2.12 Минимальный предельный ток диодов, выполняющих  функции VD1. 21

2.13 Выбор квалификационной группы тиристоров по критической скорости нарастания прямого напряжения. 22

3. Расчет параметров защитных элементов преобразователя. 23

3.1. Сопротивление шунтирующих резисторов для группы тиристоров, выполняющих функции VS1. 23

3.2. Сопротивление шунтирующих резисторов для группы тиристоров, выполняющих функции VS2. 24

3.3. Емкость шунтирующих конденсаторов для группы тиристоров, выполняющих функции VS1. 24

3.4. Емкость шунтирующих конденсаторов для группы тиристоров, выполняющих функции VS2. 25

3.5. Индуктивность дросселя, включенного последовательно с группой тиристоров, выполняющих функции VS1. 25

3.6 Индуктивность дросселя, включенного последовательно с группой тиристоров, выполняющих функции VS2. 27

3.7 Параметры , S, lcp дросселя насыщения, включенного последовательно с группой тиристоров, выполняющих функции VS1. 27

3.8 Параметры , S, lcp дросселя насыщения, включенного последовательно с группой тиристоров, выполняющих функции VS2. 31

3.9 Принципиальные схемы групп полупроводниковых приборов, выполняющих функции VS1, VS2, VD1, VD2, с защитными элементами. 32

4. Расчет параметров входного фильтра и индуктивности цепи нагрузки. 33

4.1. Упрощенная схема системы импульсного регулирования напряжения. 33

4.2. Емкость входного фильтра. 33

4.3. Индуктивность входного фильтра. 34

4.4. Собственная частота входного фильтра с учетом индуктивности контактной сети и при необходимости, корректировка емкости фильтра. 35

4.5. Индуктивность цепи нагрузки преобразователя. 35

5. Силовая схема преобразователя и временные диаграммы.. 37

Введение

Упрощенная схема, показывающая принцип работы системы импульсного регулирования напряжения на тяговом двигателе, приведена на рис.1. На этой схеме тиристорный преобразователь условно показан в виде контакта К. ............