MaterStudiorum.ru - домашняя страничка студента.
Минимум рекламы - максимум информации.


Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биографии
Биология
Биология и химия
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
Ветеринария
Военная кафедра
География
Геодезия
Геология
Геополитика
Государство и право
Гражданское право и процесс
Делопроизводство
Деньги и кредит
Естествознание
Журналистика
Зоология
Издательское дело и полиграфия
Инвестиции
Иностранный язык
Информатика
Информатика, программирование
Исторические личности
История
История техники
Кибернетика
Коммуникации и связь
Компьютерные науки
Косметология
Краткое содержание произведений
Криминалистика
Криминология
Криптология
Кулинария
Культура и искусство
Культурология
Литература и русский язык
Литература(зарубежная)
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоровье
Медицинские науки
Международное публичное право
Международное частное право
Международные отношения
Менеджмент
Металлургия
Москвоведение
Музыка
Муниципальное право
Налоги, налогообложение
Наука и техника
Начертательная геометрия
Новейшая история, политология
Оккультизм и уфология
Остальные рефераты
Педагогика
Полиграфия
Политология
Право
Право, юриспруденция
Предпринимательство
Промышленность, производство
Психология
Психология, педагогика
Радиоэлектроника
Разное
Реклама
Религия и мифология
Риторика
Сексология
Социология
Статистика
Страхование
Строительные науки
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Управленческие науки
Физика
Физкультура и спорт
Философия
Финансовые науки
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Экологическое право
Экология
Экономика
Экономико-математическое моделирование
Экономическая география
Экономическая теория
Эргономика
Этика
Юриспруденция
Языковедение
Языкознание, филология
    Начало -> Физика -> Зонна теорія електропровідності напівпровідників

Название:Зонна теорія електропровідності напівпровідників
Просмотров:75
Раздел:Физика
Ссылка:none(0 KB)
Описание: ЗМІСТ Вступ. Розділ 1. Поняття  напівпровідників. Розділ 2. Рівняння Шредінгера для кристала. Розділ 3. Зонний характер енергетичних спектрів електронів в кристалі. Адіабатичне та одноелектронне наближен

Университетская электронная библиотека.
www.infoliolib.info

Часть полного текста документа:

ЗМІСТ

Вступ.

Розділ 1. Поняття  напівпровідників.

Розділ 2. Рівняння Шредінгера для кристала.

Розділ 3. Зонний характер енергетичних спектрів електронів в кристалі. Адіабатичне та одноелектронне наближення. Наближення сильнозв’язаних електронів.

Розділ 4. Зони Бріллюена.

4.1. Поняття про зони Бріллюена.

4.2. Приведені зони.

4.3. Ефективна маса електрона.

4.4. Енергетична будова алмазоподібних напівпровідників.

Розділ. 5. Заповнення зон електронами та електричні властивості напівпровідників.

Розділ 6.  Діркова  провідність  напівпровідників.

Розділ  7. Домішкові рівні у  напівпровідниках.

7.1. Донорні рівні.

7.2. Акцепторні рівні.

7.3. Рівні прилипання.

6.4. Глибокі домішкові рівні.

Висновки.

Список використаної літератури.


Вступ

Сьогодні, коли виробництво напівпровідників стало окремою галуззю  промисловості і сьогодні, коли напівпровідники все в більшій мірі визначають  рівень  прогресу в таких галузях як радіоелектроніка, обчислювальна техніка, зв'язок, автоматизація виробництва, знання фізики напівпровідників стає потребою не  тільки фахівців у даній галузі, але і більш широкого кола людей. Вимоги промисловості та техніки стимулюють у наш час розвиток науки і фізики напівпровідників зокрема. За п’ятдесят років свого розвитку фізика напівпровідників та промисловість із нею  пов’язана, пройшла великий шлях, від перших діодів до мікросхем. У мікросхемі 1965  року  випуску було 30 транзисторів, тоді як сьогодні  чип  Radeon  HD 3870  містить  660 мільйонів  транзисторів.

Для створення напівпровідникових виробів потрібно мати розвинуту промисловість,  адже  потрібно  виготовляти  чисті  кристали  кремнію  та  германію, вміст  домішок у яких буде  надзвичайно  малим  ( до 10-10 ).  Довгий  час  це  було неможливо. Потрібно вміти  вводити в кристали  кремнію точно дозовані кількості домішок, тощо. Але все це було б неможливим  без  знання  внутрішньої будови напівпровідників. Фізика напівпровідників саме і вивчає будову напівпровідників, вона  встановила певні  агальні принципи їх функціонування,  тощо.

Завданням даної роботи буде  встановити  внутрішню  будову  напівпровідників  та  пояснити  на  основі  внутрішньої  будови  їх  властивості.


Розділ 1. Поняття  напівпровідників

Всі речовини в природі по електрофізичних властивостях можуть бути розділені на три великі класи: метали, напівпровідники і діелектрики. Найпростіше, здавалося б, класифікувати речовини по питомому електричному опору. У металів він знаходиться в межах 10-6 – 10-4 Ом∙см (наприклад, питомий опір срібла при кімнатній температурі складає 1,58∙10-6 Ом∙см, сплав ніхром має питомий опір 1,05∙10-4 Ом∙см). Речовини з питомим опором від 10-4 до 1010 Ом∙см були віднесені до напівпровідників (наприклад, питомий опір сірчистого кадмію при кімнатній температурі залежно від технології його виготовлення лежить в межах від 10-3  до 1012 Ом∙см, а германію – від 10-4 до 47 Ом∙см). Нарешті, речовини з питомим опором більше 1010 Ом∙см вважаються діелектриками (наприклад, при 200°С питомий опір слюди залежно від її складу має 1013 – 1016Ом∙см, скла –                      10 8 – 1015 Ом∙см).

З наведених прикладів видно, що при переході від одного класу речовини до іншого значення питомого опору перекриваються. ............







Похожие работы:

Название:Архитектура многокристального микропроцессора К10 и К10.5
Просмотров:544
Описание: Федеральное агентство связи Бурятский филиал ГОУ ВПО «СибГУТИ» Кафедра ИВТ Курсовая работа По дисциплине: Организация и архитектура ЭВМ На тему: Архитектура многокристального МП К10 и К10

Название:Влияние кристаллографической текстуры на анизотропию физико-механических свойств деформированных полуфабрикатов из сплавов на основе титана
Просмотров:306
Описание: Тема работы: «Влияние кристаллографической текстуры на анизотропию физико-механических свойств деформированных полуфабрикатов из сплавов на основе титана» Содержание   Введение Глава 1. Аустенитны

Название:Результати управлінської діяльності ЗАО "Світ електроніки"
Просмотров:313
Описание: Вступ В ході даної практики треба провести знайомство з характеристикою закритого акціонерного товариства "Світ електроніки ", його виробничою структурою, типом виробництва, номенклатурою послуг, які во

Название:Направленная кристаллизация системы Mo-Zr-C
Просмотров:274
Описание: МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ Харьковский национальный университет имени В. Н. Каразина Физико-технический факультет ВЫПУСКНАЯ РАБОТА БАКАЛАВРА ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ Напр

Название:Рассеяние электронной плотности в металлах и ионных кристаллах по рентгенографическим данным
Просмотров:340
Описание: РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ПЛОТНОСТИ В МЕТАЛЛАХ И ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ ПО РЕНТГЕНОГРАФИЧЕСКИМ ДАННЫМ Содержание Введение Глава 1. Свойства исследуемых объектов и методы измерения электронной плотности

 
     

Вечно с вами © MaterStudiorum.ru