MaterStudiorum.ru - домашняя страничка студента.
Минимум рекламы - максимум информации.


Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биографии
Биология
Биология и химия
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
Ветеринария
Военная кафедра
География
Геодезия
Геология
Геополитика
Государство и право
Гражданское право и процесс
Делопроизводство
Деньги и кредит
Естествознание
Журналистика
Зоология
Издательское дело и полиграфия
Инвестиции
Иностранный язык
Информатика
Информатика, программирование
Исторические личности
История
История техники
Кибернетика
Коммуникации и связь
Компьютерные науки
Косметология
Краткое содержание произведений
Криминалистика
Криминология
Криптология
Кулинария
Культура и искусство
Культурология
Литература и русский язык
Литература(зарубежная)
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоровье
Медицинские науки
Международное публичное право
Международное частное право
Международные отношения
Менеджмент
Металлургия
Москвоведение
Музыка
Муниципальное право
Налоги, налогообложение
Наука и техника
Начертательная геометрия
Новейшая история, политология
Оккультизм и уфология
Остальные рефераты
Педагогика
Полиграфия
Политология
Право
Право, юриспруденция
Предпринимательство
Промышленность, производство
Психология
Психология, педагогика
Радиоэлектроника
Разное
Реклама
Религия и мифология
Риторика
Сексология
Социология
Статистика
Страхование
Строительные науки
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Управленческие науки
Физика
Физкультура и спорт
Философия
Финансовые науки
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Экологическое право
Экология
Экономика
Экономико-математическое моделирование
Экономическая география
Экономическая теория
Эргономика
Этика
Юриспруденция
Языковедение
Языкознание, филология
    Начало -> Физика -> Сканирующая зондовая микроскопия

Название:Сканирующая зондовая микроскопия
Просмотров:79
Раздел:Физика
Ссылка:none(0 KB)
Описание: Сканирующий Зондовый Микроскоп (СЗМ) - это прибор, дающий возможность исследования свойств поверхностей материалов от микронного до атомарного уровня. В СЗМ существует три способа исследования поверхностей:

Часть полного текста документа:

Содержание Содержание 1 1.ВВЕДЕНИЕ. 2 2.ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ. 2 2.1 Что такое сканирующая зондовая микроскопия. 2 2.2 Современные методы исследований СЗМ. 5 2.2.1 Методики СТМ. 5 2.2.1.1 Объекты исследования. 6 2.2.1.2 Режимы работы СТМ. 7 Режим топографии (I=сопst). 7 Режим регистрации тока (Z=const). 7 Режим ошибки обратной связи (FВ-еrrоr). 8 2.2.2 Методики ССМ . 8 2.2.2.1 Контактный режим. 9 Силы, действующие между кантилевером и образцом 10 2.2.2.2 Топография поверхности (режим постоянной 11 силы) 2.2.2.3 Режим снятия изображения сил. 15 2.2.2.4 Режим регистрации ошибки обратной связи. 16 2.2.2.5 Измерение боковых сил. 16 2.2.3 Вибрационные и модуляционные методы
    измерений. 17 2.2.3.1 СТМ-методы. 18 Режим измерения локальной высоты барьера. 18 Режим спектроскопии. 20 2.2.3.2 АСМ-методы: 20 Бесконтактный режим. 20 Полуконтактный режим. 22 Режим измерения жесткости. 23 2.2.4 Схема взаимодействия компонентов. 24 2.2.5 Схема регистрации отклонения кантилевера. 25 3. ЗАКЛЮЧЕНИЕ. 26 4. ЛИТЕРАТУРА. 27 1.Введение Сканирующий Зондовый Микроскоп (СЗМ) - это прибор, дающий возможность исследования свойств поверхностей материалов от микронного до атомарного уровня. В СЗМ существует три способа исследования поверхностей: * Сканирующая туннельная микроскопия (СТМ) * Сканирующая силовая микроскопия (ССМ) * Близкопольная сканирующая микроскопия (БСМ). СТМ был изобретен сотрудниками швейцарского филиала фирмы IВМ учеными Г.Биннигом и X. Рорером в 1981 г., а ССМ - Кэлвином Гвэйтом, Гердом Биннигом и Кристофером Гербером, в 1986г. Эти технологии оказались революционными в развитии исследований свойств поверхностей и в 1985 изобретение СТМ было отмечено присуждением нобелевской премии по физике первооткрывателям - Г. Биннигу и X. Рореру. 2.Основная часть 2.1 Что такое Сканирующая Зондовая Микроскопия В работе СТМ используется заостренная проводящая игла с приложенным напряжением смещения между ней и образцом; радиус кривизны иглы порядка 3 - 5 нм. При подводе иглы на расстояние около 10А от образца, электроны из образца начинают туннелировать через туннельный промежуток в иглу (или наоборот, в зависимости от знака приложенного напряжения смещения). Туннельный ток используется как механизм для получения картины исследуемой поверхности. Для его возникновения необходимо, чтобы образец и игла были проводниками либо полупроводниками. Для различных режимов сканирования записываемый (т.е. формирующий изображения) сигнал получается из величины туннельного тока различными методами. На Рис. 1 показана схема туннелирования электрона между образцом и зондом и приближении простейшей одномерной модели: РИС. 1 Величина туннельного тока может быть оценена по ф-ле: Z - высота иглы относительно образца; U - разность потенциалов энергетических уровней; Fi- высота потенциального барьера; Регистрируемой величиной является либо величина тока (Если поверхности иглы и образца являются гидрофобными, а таковыми их можно сделать, покрыв SiCl2, то регистрируется действительно величина туннельного тока между иглой и образцом, в случае же гидрофильности поверхностей иглы и образца на них возможна адсорбция, и тогда результирующий ток будет состоять из вкладов туннельного и ионного токов.) ,либо величина напряжения обратной связи, поддерживающей постоянный туннельный ток. Из этой формулы видно, что величина It экспоненциально зависит от величины туннельного промежутка и именно это свойство позволяет достичь столь высокого разрешения туннельной микроскопии.
    На величину It влияют также другие потенциальные, барьеры, которые могут возникнуть при исследовании реальных поверхностей. ............






Похожие работы:

Название:Эпитаксиальный рост простых полупроводников Si и Ge на поверхности Si(111)
Просмотров:649
Описание: Введение С физикой тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники. Успехи микроминиатюризации электронной ап

Название:Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
Просмотров:632
Описание: Содержание Введение Обзор литературы Ge-Si гетероструктуры с квантовыми точками Фундаментальные предпосылки Рост и особенности упорядочения ансамблей Ge нанокластеров. Поверхность кремния (100) Морфоло

Название:Регистратор колебаний поверхности земли
Просмотров:636
Описание: 1. Введение Тема курсового проекта «Регистратор колебаний поверхности земли ». Одним из важнейших факторов, определяющим темпы научно-технического прогресса в современном обществе, являются СВТ (средства в

Название:Подготовка поверхности и нанесение лакокрасочных материалов
Просмотров:331
Описание: Подготовка поверхности и нанесение лакокрасочных материалов Главная задача и обязанность инспектора – контроль за выполнением очистных и окрасочных работ и оценка соответствия качества работ требованиям

Название:История исследований и минералогия лунной поверхности
Просмотров:338
Описание: Данная статья включает в себя выдержки из научно-исследовательской работы МАН (Малая Академия Наук) члена астрономического кружка Харьковского планетария Гурового Кирилла. Введение Интерес человека к Луне на

 
     

Вечно с вами © MaterStudiorum.ru