MaterStudiorum.ru - домашняя страничка студента.
Минимум рекламы - максимум информации.


Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биографии
Биология
Биология и химия
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
Ветеринария
Военная кафедра
География
Геодезия
Геология
Геополитика
Государство и право
Гражданское право и процесс
Делопроизводство
Деньги и кредит
Естествознание
Журналистика
Зоология
Издательское дело и полиграфия
Инвестиции
Иностранный язык
Информатика
Информатика, программирование
Исторические личности
История
История техники
Кибернетика
Коммуникации и связь
Компьютерные науки
Косметология
Краткое содержание произведений
Криминалистика
Криминология
Криптология
Кулинария
Культура и искусство
Культурология
Литература и русский язык
Литература(зарубежная)
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоровье
Медицинские науки
Международное публичное право
Международное частное право
Международные отношения
Менеджмент
Металлургия
Москвоведение
Музыка
Муниципальное право
Налоги, налогообложение
Наука и техника
Начертательная геометрия
Новейшая история, политология
Оккультизм и уфология
Остальные рефераты
Педагогика
Полиграфия
Политология
Право
Право, юриспруденция
Предпринимательство
Промышленность, производство
Психология
Психология, педагогика
Радиоэлектроника
Разное
Реклама
Религия и мифология
Риторика
Сексология
Социология
Статистика
Страхование
Строительные науки
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Управленческие науки
Физика
Физкультура и спорт
Философия
Финансовые науки
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Экологическое право
Экология
Экономика
Экономико-математическое моделирование
Экономическая география
Экономическая теория
Эргономика
Этика
Юриспруденция
Языковедение
Языкознание, филология
    Начало -> Физика -> Полупроводниковые материалы

Название:Полупроводниковые материалы
Просмотров:87
Раздел:Физика
Ссылка:none(0 KB)
Описание: Министерство образования и науки Украины ХАРЬКОВСКИЙ НАЦИНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ Кафедра МЭПУ ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА к курсовой работе по дисциплине “Материалы электронной техник

Часть полного текста документа:

Министерство образования и науки Украины

ХАРЬКОВСКИЙ НАЦИНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Кафедра МЭПУ

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

к курсовой работе по дисциплине

“Материалы электронной техники”

на тему: “Полупроводниковые материалы”

Работу выполнила Руководитель:

ст.гр. ЭЛ-05-1  проф. Слипченко Н.И.

Марокко А.Р.


Харьков 2005


РЕФЕРАТ

Пояснительная записка: 39 с., 9 рис., 1 табл., 11 источников.

Объект исследования – полупроводниковые материалы.

Цель работы – повторение и закрепление знаний об основных свойствах полупроводниковых материалов, практическое применение полученных знаний путем решения задачи.

Полупроводниковые материалы получили широкое применение в электротехнике, в связи с этим предполагается углубленное изучение свойств.

Ключевые слова: полупроводник, полупроводниковые соединения, гальваномагнитные явления, эффект Холла, подвижность носителей, заряд.


СОДЕРЖАНИЕ

 

ВВЕДЕНИЕ

1 СУТЬ ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ

1.1 Описание гальваномагнитных явлений

1.2 Эффекты Холла, Эттингсгаузена и Нернста

2 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ ТИПА АIIIВV

2.1 Закономерности образования. Структура и химическая связь

2.2 Получение соединений

2.3 Физико-химические и электрические свойства

2.4 Примеси и дефекты структуры

2.5 Излучательная рекомбинация

2.6 3акоиомерности изменения свойств в зависимости от  состава

2.7 Изопериодные гетероструктуры

2.8 Применение соединений АIIIВV

2.9 Арсенид галлия GaAs

2.10 Фосфид галлия

3 ПОДВИЖНОСТЬ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

3.1 Что такое подвижность

3.2 Некоторые свойства подвижности носителей заряда

3.3 Измерение подвижности носителей заряда

3.3.1 Метод тока Холла

3.3.2 Метод геометрического магнитосопротивления

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ПЕРЕЧЕНЬ ССЫЛОК


ВВЕДЕНИЕ

 

К полупроводникам относятся материалы, свойства которых частично схожи со свойствами проводников, частично со свойствами диэлектриков. К ним относится большое количество веществ с электронной электропроводностью.

Основной особенностью полупроводников является их способность изменять свои свойства под влиянием различных внешних воздействий (изменение температуры, приложение электрического или магнитного полей и т.д.). Свойства полупроводников сильно зависят от содержания примесей. С введением примеси изменяется не только значение проводимости, но и характер её температурной зависимости.

Электрический ток в полупроводниках связан с дрейфом носителей заряда. Появление носителей заряда в полупроводниках определяется химической частотой и температурой.

Среди полупроводниковых материалов электронные полупроводники, полупроводниковые химические соединения и твердые растворы. Электрические свойства полупроводников определяются зонной структурой и содержанием примесей.

При любой температуре, отличной от абсолютного нуля, в полупроводнике за счет теплового возбуждения происходит генерация свободных электронов и дырок. Однако с процессом генерации обязательно протекает обратный процесс – рекомбинации носителей заряда. ............







Похожие работы:

Название:Мировая электронная промышленность
Просмотров:698
Описание: Электронную промышленность часто называют детищем НТР, и это действительно так. Сначала она зародилась в недрах электротехники (радиотехники), но затем фактически отделилась от нее, превратившись в самостоятельну

Название:Виды электронного банковского обслуживания
Просмотров:506
Описание: Введение Сегодня любой банк во всем мире выполняет три основные функции: сбор денежных средств, их перемещение, и кредитование ими. Сбор денежных средств сам по себе стоит банку денег, на перемещении средств уже м

Название:Датчики и исполнительные устройства электронных систем управления АТС
Просмотров:678
Описание: Контрольная работа Выполнил: студент гр.ЗФ-421 Мингазов Д.К. Южно-Уральский Государственный Университет Челябинск 2011 Датчик положения коленчатого вала. Датчик положения коленчатого вала (ДПКВ) (см. Фото-1) явл

Название:Эпитаксиальный рост простых полупроводников Si и Ge на поверхности Si(111)
Просмотров:649
Описание: Введение С физикой тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники. Успехи микроминиатюризации электронной ап

Название:Пуск в работу питательного электронасоса после ремонта
Просмотров:486
Описание: Учебное пособие Пуск в работу питательного электронасоса после ремонта Груздев В.Б. Рассматривается методика подготовки и пуск питательного насосного агрегата с элект

 
     

Вечно с вами © MaterStudiorum.ru