MaterStudiorum.ru - домашняя страничка студента.
Минимум рекламы - максимум информации.


Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биографии
Биология
Биология и химия
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
Ветеринария
Военная кафедра
География
Геодезия
Геология
Геополитика
Государство и право
Гражданское право и процесс
Делопроизводство
Деньги и кредит
Естествознание
Журналистика
Зоология
Издательское дело и полиграфия
Инвестиции
Иностранный язык
Информатика
Информатика, программирование
Исторические личности
История
История техники
Кибернетика
Коммуникации и связь
Компьютерные науки
Косметология
Краткое содержание произведений
Криминалистика
Криминология
Криптология
Кулинария
Культура и искусство
Культурология
Литература и русский язык
Литература(зарубежная)
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоровье
Медицинские науки
Международное публичное право
Международное частное право
Международные отношения
Менеджмент
Металлургия
Москвоведение
Музыка
Муниципальное право
Налоги, налогообложение
Наука и техника
Начертательная геометрия
Новейшая история, политология
Оккультизм и уфология
Остальные рефераты
Педагогика
Полиграфия
Политология
Право
Право, юриспруденция
Предпринимательство
Промышленность, производство
Психология
Психология, педагогика
Радиоэлектроника
Разное
Реклама
Религия и мифология
Риторика
Сексология
Социология
Статистика
Страхование
Строительные науки
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Управленческие науки
Физика
Физкультура и спорт
Философия
Финансовые науки
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Экологическое право
Экология
Экономика
Экономико-математическое моделирование
Экономическая география
Экономическая теория
Эргономика
Этика
Юриспруденция
Языковедение
Языкознание, филология
    Начало -> Физика -> Кристаллографические символы

Название:Кристаллографические символы
Просмотров:85
Раздел:Физика
Ссылка:none(0 KB)
Описание: ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА   КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЕ  СИМВОЛЫ Цель работы: 1) Знакомство с системой обозначения граней и направлений; 2) Определение индексов граней и ребер кристаллов; 3) Решение некоторых типичн

Часть полного текста документа:

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА

 

КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЕ  СИМВОЛЫ

Цель работы: 1) Знакомство с системой обозначения граней и направлений;

2) Определение индексов граней и ребер кристаллов;

3) Решение некоторых типичных кристаллографических задач с использованием условия зональности.

Важнейшее значение в кристаллографии имеет вопрос об аналитической записи взаимного расположения граней и ребер кристалла в пространстве. С этой целью применяют кристаллографические символы, определяющие положение любой грани и ребра кристалла относительно принятых координатных осей.

Символы граней

Положение грани кристалла можно описать с помощью трех отрезков, отсекаемых этой гранью на координатных осях. Кристаллографическую систему характеризуют геометрические константы кристалл: осевые углы (a, b, g) и осевые единицы (a0, b0, c0). Осевыми единицами называют отрезки a0, b0, c0 , отсекаемые единичной гранью на координатных осях x,y,z соответственно. В соответствии с симметрией кристалла масштаб измерения отрезков, отсекаемых гранью на осях, определяется для каждой сингонии соотношением между осевыми единицами (табл. 1).

Таблица 1.

Сингония Угловые соотношения Осевые единицы Кубическая

a=b=g=90°

a0=b0=c0

Тетрагональная

a=b=g=90°

a0=b0¹c0

Ромбическая

a=b=g=90°

a0¹b0¹c0

Моноклинная

a=g=90°¹b

a0¹b0¹c0

Триклинная

a¹b¹g¹90°

a0¹b0¹c0

Гексагональная

a=b=90°, g=120°

a0=b0¹c0

В методе параметров (метод Вейса) для определения грани используется тройка безразмерных векторов a, b, c, соответствующих отрезкам, отсекаемым гранью на координатных осях и измеренных с помощью осевых единиц a0, b0, c0 (рис. 1) a=OA/a0, b=OB/b0, c=OC/c0.

Для выбора масштаба измерения, после установки кристалла, среди его наиболее развитых граней находят такую, которая пересекает все три оси. Отрезки, отсекаемые такой гранью кристалла, принимают за единичные, а саму грань - за единичную. Её параметры: (1:1:1). Чтобы определить параметры любой другой грани кристалла, необходимо найти соотношение отрезков, отсекаемых ею на координатных осях и отнесенных  к соответствующим единичным отрезкам a0, b0, c0.

Такое обозначение граней с помощью параметров имеет один существенный недостаток: неудобство обозначения граней, параллельных координатным осям. Например, грань, параллельная плоскости XOY, запишется как (¥:¥:1), поскольку такая грань пересекает лишь ось Z. Между тем, грани параллельные координатным осям, представляют для кристаллографии особый интерес.

В методе индексов (метод Миллера) положение любой грани кристаллов в трехосной системе координат определяется тройкой целых, как правило, небольших, взаимно-простых чисел – индексов h, k, l, представляющих собой отношение обратных величин параметров. ............







Похожие работы:

Название:Влияние кристаллографической текстуры на анизотропию физико-механических свойств деформированных полуфабрикатов из сплавов на основе титана
Просмотров:306
Описание: Тема работы: «Влияние кристаллографической текстуры на анизотропию физико-механических свойств деформированных полуфабрикатов из сплавов на основе титана» Содержание   Введение Глава 1. Аустенитны

Название:Проектування радіолокаційного координатора
Просмотров:583
Описание: Міністерство освіти і науки України Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра РЕПС Курсова робота З дисципліни: Проектування радіолокаційних, радіонавігаційних си

Название:Направленная кристаллизация системы Mo-Zr-C
Просмотров:274
Описание: МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ Харьковский национальный университет имени В. Н. Каразина Физико-технический факультет ВЫПУСКНАЯ РАБОТА БАКАЛАВРА ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ Напр

Название:Рассеяние электронной плотности в металлах и ионных кристаллах по рентгенографическим данным
Просмотров:340
Описание: РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ПЛОТНОСТИ В МЕТАЛЛАХ И ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ ПО РЕНТГЕНОГРАФИЧЕСКИМ ДАННЫМ Содержание Введение Глава 1. Свойства исследуемых объектов и методы измерения электронной плотности

Название:Кривые, заданные в полярных координатах
Просмотров:352
Описание: Кривые, заданные в полярных координатах Р.Л. Ткачук Вологда Введение Тема «Полярная система координат» позволяет познакомить учащихся с крас

 
     

Вечно с вами © MaterStudiorum.ru