MaterStudiorum.ru - домашняя страничка студента.
Минимум рекламы - максимум информации.


Авиация и космонавтика
Административное право
Арбитражный процесс
Архитектура
Астрология
Астрономия
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биографии
Биология
Биология и химия
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
Ветеринария
Военная кафедра
География
Геодезия
Геология
Геополитика
Государство и право
Гражданское право и процесс
Делопроизводство
Деньги и кредит
Естествознание
Журналистика
Зоология
Издательское дело и полиграфия
Инвестиции
Иностранный язык
Информатика
Информатика, программирование
Исторические личности
История
История техники
Кибернетика
Коммуникации и связь
Компьютерные науки
Косметология
Краткое содержание произведений
Криминалистика
Криминология
Криптология
Кулинария
Культура и искусство
Культурология
Литература и русский язык
Литература(зарубежная)
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика
Медицина, здоровье
Медицинские науки
Международное публичное право
Международное частное право
Международные отношения
Менеджмент
Металлургия
Москвоведение
Музыка
Муниципальное право
Налоги, налогообложение
Наука и техника
Начертательная геометрия
Новейшая история, политология
Оккультизм и уфология
Остальные рефераты
Педагогика
Полиграфия
Политология
Право
Право, юриспруденция
Предпринимательство
Промышленность, производство
Психология
Психология, педагогика
Радиоэлектроника
Разное
Реклама
Религия и мифология
Риторика
Сексология
Социология
Статистика
Страхование
Строительные науки
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Теория государства и права
Теория организации
Теплотехника
Технология
Товароведение
Транспорт
Трудовое право
Туризм
Уголовное право и процесс
Управление
Управленческие науки
Физика
Физкультура и спорт
Философия
Финансовые науки
Финансы
Фотография
Химия
Хозяйственное право
Цифровые устройства
Экологическое право
Экология
Экономика
Экономико-математическое моделирование
Экономическая география
Экономическая теория
Эргономика
Этика
Юриспруденция
Языковедение
Языкознание, филология
    Начало -> Физика -> Изучение работы полевого транзистора

Название:Изучение работы полевого транзистора
Просмотров:76
Раздел:Физика
Ссылка:none(0 KB)
Описание: ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Изучение работы полевого транзистора Цель работы: ознакомиться с принципами работы полевого транзистора, построить стоковые характеристики транзистора. Краткие теоретические

Часть полного текста документа:

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Изучение работы полевого транзистора

Цель работы: ознакомиться с принципами работы полевого транзистора, построить стоковые характеристики транзистора.

Краткие теоретические сведения

Во многих современных электронных устройствах используют транзисторы, ток носителей которых течет по так называемому каналу, образованному внутри кремниевого кристалла. Этим током можно управлять, прикладывая электрическое поле. Такие приборы называются полевыми транзисторами (в англоязычной литературе применяют сокращение  FET – Field Effected Transistor). В настоящее время эти транзисторы играют важную роль,  являясь элементами интегральных схем, которые содержат на одном кристалле от сотен тысяч до миллионов полупроводниковых приборов. В свою очередь на базе таких интегральных схем создают компьютеры, микропроцессорные системы, устройства обработки сигналов и др.

Существуют три группы  полевых транзисторов: типа МОП (металл-оксид-полупроводник), с управляющим p-n-переходом, с управляющим переходом металл-полупроводник.


Рассмотрим устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом (см. рис.1).

Тонкая пластинка полупроводника (канал) снабжена двумя омическими электродами (исток, сток). Между истоком и стоком расположен третий электрод – затвор. Напряжение, приложенное между затвором и любым из двух других электродов, приводит к появлению в подзатворной области канала электрического поля. Влияние этого поля приводит к изменению количества носителей заряда в канале вблизи затвора и изменяет сопротивление канала.

Если канал полевого транзистора – полупроводник n-типа, то ток в нем переносится электронами, входящих в канал через исток, к которому в этом случае прикладывается отрицательный потенциал, и выходящий из канала через сток. Если канал полевого транзистора – полупроводник p-типа, то к истоку прикладывается положительный потенциал, а к стоку – отрицательный. При любом типе проводимости канала ток всегда переносится носителями заряда только одного знака: либо электронами, либо дырками, поэтому полевые транзисторы называют иногда   униполярными транзисторами.

Различают два основных типа полевых транзисторов. К первому типу относят полевые транзисторы, в которых  затвором служит p-n-переход (полевой транзистор с управляющим p-n-переходом) или барьер металл-полупроводник (Шоттки барьер). Которую второму типу относят полевые транзисторы, в которых металлический электрод затвора отделен от канала слоем диэлектрика, -  полевые транзисторы с изолированным затвором.

Идея, лежащая в основе работы полевого транзистора с затвором в виде p-n-перехода, высказана в 1952 г. У. Шокли. Она поясняется на рис. 2. Под металлическим электродом затвора полевого транзистора сформирован p-слой, так что между затвором и любым из двух других электродов полевого транзистора существует p-n-переход. Толщина канала , по которому ток может протекать между истоком и стоком, зависит  от напряжения, приложенного к затвору. Между истоком и затвором прикладывается напряжение , смещающее p-n-переход в запирающем направлении. Тогда под затвором возникает обедненный слой, имеющий очень высокое сопротивление. ............







Похожие работы:

Название:Управление напряжением рентгеноскопической установки
Просмотров:568
Описание: СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ 1. СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕМЫ РЕНТГЕНОСКОПИЧЕСКИХ МЕТОДОВ ДОСМОТРА 1.1 Состояние проблемы и описание ОУ 1.2 Анализ ТЗ на разработку 1.3 Обзор литературы 1.3.1 Рентгеновские спектры 1.3.2 Коэффиц

Название:Моделирование работы МДП-транзистора в системе MathCad
Просмотров:376
Описание: ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Физико-технический факуль

Название:Безопасность эксплуатации асинхронных двигателей собственных нужд напряжением 0,4 кВ
Просмотров:340
Описание: Безопасность эксплуатации асинхронных двигателей собственных нужд напряжением 0,4 кВ 1. Анализ опасных и вредных факторов при эксплуатации асинхронных двигателей собственных н

Название:Безопасность эксплуатации воздушных линий напряжением 330 кВ
Просмотров:339
Описание: Безопасность эксплуатации воздушных линий напряжением 330 кВ 1. Анализ опасных и вредных факторов при эксплуатации воздушных линий напряжением 330 кВ Опасные факторы. Ос

Название:Исследование биполярного транзистора МП-40А
Просмотров:333
Описание: Задание для РГЗ 1.      Выписать из справочника параметры транзистора МП – 40А. Нарисовать чертёж выводов транзистора. 2.      Зарисовать входную и выходную характеристики транзистора. 3.      Нарисовать сх

 
     

Вечно с вами © MaterStudiorum.ru